-
Корзина
- Вы смотрели
4200A-SCS-PK2 - система измерения параметров полупроводников (комплект для измерения ВАХ и CV-метрии с высоким разрешением)
Описание
4200A-SCS-PK2, система измерения параметров полупроводников (комплект для измерения ВАХ и CV-метрии с высоким разрешением) – это система универсального исполнения, которая обеспечивает определение вольт-амперных характеристик I-V по току DC. Устройство позволяет производить снятие вольт-фарадных характеристик на токе AC с использованием импульсного режима с устройств полупроводникового типа и тестовых устройств, расположенных на пластине.
Данная модель системы для осуществления замеров характеристик полупроводников может быть использована:
- для проведения замеров вольт-амперных характеристик с использованием токового диапазона от 0,1 фА до 1 А и диапазона уровня напряжения от 1 мкВ до 210 В;
- для проведения замеров на переменном токе с использованием диапазона до 420 В, с уровнем разрешения 1 мВ и с частотой в диапазоне от 1 кГц до 10 МГц;
- для быстрого и импульсного тестирования с показателем разрешения по времени – 5 нс;
- для автоматического переключения между режимами, предназначенными для замеров вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик.
В состав 4200A-SCS-PK2 входят комплекты приборов в виде одного базового блока анализатора параметрического типа и в виде двух измерительных модулей, имеющих среднюю мощность. Также в состав входит токовый предусилитель, одна оснастка, обеспечивающая возможность подключения компонентов, подлежащих тестированию, и в качестве опции – модуль CV-метрии.
Данная модель системы обладает модульной многоканальной архитектурой и настраиваемым типом конфигурации. Система имеет возможность поддержки до 9 модулей.
Основные отличительные особенности измеряющей системы:
- наличие встроенной рабочей станции, функционирующей на базе операционной системы Windows 7;
- наличие встроенного сенсорного жидкокристаллического дисплея с высоким уровнем разрешения (1920х1080 точек), при этом он имеет диагональ 15,6 дюймов;
- шасси системы обеспечивает поддержку девяти модулей, предназначенных для осуществления замеров;
- в качестве опции в состав системы может включаться предусилитель токов малого уровня;
- возможность измерения вольт-фарадных характеристик с параметрами дифференциального смещения ± 60 В при частоте от 1 кГц до 10 МГц, также такие замеры могут осуществляться с использованием квазистатического либо ультранизкочастотного режима.
.
Характеристики
Технические характеристики |
||||||
|
Диапазон тока |
Макс. напряжение |
Разрешение (измерение) |
Точность измерения ±(% от шкалы + А) |
Разрешение (генерация) |
Точность генерации ±(% отшкалы + А) |
|
Технические характеристики измерительных модулей |
||||||
|
4210- SMU |
1 А | 21 В | 1 мкА |
0,100% + 200 мкА |
50 мкА |
0,100% + 350 мкА |
| 100 мА | 210 В | 50 нА |
0,045% + 3 мкА |
5 мкА |
0,050% + 15 мкА |
|
|
4200- SMU и 4210- SMU |
100 мА | 21 В | 50 нА |
0,045% + 3 мкА |
5 мкА |
0,050% + 15 мкА |
| 10 мА | 210 В | 5 нА |
0,037% + 300 нА |
500 нА |
0,042% + 1,5 мкА |
|
| 1 мА | 210 В | 500 пА |
0,035% + 30 нА |
50 нА |
0,040% + 150 нА |
|
| 100 мкА | 210 В | 50 пА |
0,033% + 3 нА |
5 нА |
0,038% + 15 нА |
|
| 10 мкА | 210 В | 5 пА |
0,050% + 600 пА |
500 пА |
0,060% + 1,5 нА |
|
| 1 мкА | 210 В | 500 фА |
0,050% + 100 пА |
50 пА |
0,060% + 200 пА |
|
| 100 нА | 210 В | 50 фА |
0,050% + 30 пА |
5 пА |
0,050% + 30 пА |
|
|
4200- SMU и 4210- SMU с опцией 4200-PA |
10 нА | 210 В | 5 фА |
0,050% + 1 пА |
500 фА |
0,060% + 3 пА |
| 1 н | 210 В | 1 фА |
0,050% + 100 фА |
50 фА |
0,060% + 300 фА |
|
| 100 пА | 210 В | 300 аА |
0,100% + 30 фА |
15 фА |
0,100% + 80 фА |
|
| 10 пА | 210 В | 100 аА |
0,050% + 15 фА |
5 фА |
0,500% + 50 фА |
|
| 1 пА | 210 В | 10 аА |
1,000% + 30 фА |
1,5 фА |
1,000% + 40 фА |
|
|
Диапазон напряжения |
Диапазон тока |
Разрешение (измерение) |
Точность измерения ±(% от шкалы + А |
Разрешение (генерация) |
Точность генерации ±(% отшкалы + А) |
|
| 4200-SMU | 4210-SMU | |||||
| 200 В | 10,5 мА | 105 мА | 200 мкВ |
0,015% + 3 мВ |
5 мВ |
0,02% + 15 мВ |
| 20 В | 105 мА | 1,05 А | 20 мкВ |
0,01% + 1 мВ |
500 мкВ |
0,02% + 1,5 мВ |
| 2 В | 105 мА | 1,05 А | 2 мкВ |
0,012% + 150 мкВ |
50 мкВ |
0,02% + 300 мкВ |
| 200 мВ | 105 мА | 1,05 А | 0,2 мкВ |
0,012% + 100 мкВ |
5 мкВ |
0,02% + 150 мкВ |
| Параметр | Значение | |||||
| Выходные разъемы (4200-SMU, 4210-SMU) |
3 минитриаксиальных (female: Force, Sence и Sence LO) на каждый SMU 1 D-Sub (female, 15-pin) для подключения к 4200-PA |
|||||
| Выходные разъемы (4200-PA) |
3 минитриаксиальных (female: Force, Sence и Sence LO) на каждый SMU 1 D-Sub (female, 15-pin) для подключения к 4200-PA |
|||||
| Шум (типичное) |
генерация (ток/напряжение скз) 0,01% / 0,1% от полного диапазона измерение (ток/напряжение пик-пик) 0,02% / 0,2% от полного диапазона |
|||||
| Максимкальная скорость нарастания | 0,2 В/мкс | |||||
CV- метрия. Измерение вольт-фарадных характеристик |
||||||
| Частота | Измеряемая емкость | С точность | G точность | |||
| 10 МГц | 1 пФ | ±0,92% | ±590 нс | |||
| 10 пФ | ±0,32% | ±1,8 мкс | ||||
| 100 пФ | ±0,29% | ±17 мкс | ||||
| 1 нФ | ±0,35% | ±99 мкс | ||||
| 1 МГц | 1 пФ | ±1,17% | ±64 нс | |||
| 10 пФ | ±0,19% | ±65 нс | ||||
| 100 пФ | ±0,10% | ±610 нс | ||||
| 1 нФ | ±0,09% | ±4 мкс | ||||
| 100 кГц | 10 пФ | ±0,31% | ±28 нс | |||
| 100 пФ | ±0,18% | ±59 нс | ||||
| 1 мкФ | ±0,10% | ±450 нс | ||||
| 10 нФ | ±0,10% | ±3 мкс | ||||
| 10 кГц | 100 пФ | ±0,31% | ±15 нс | |||
| 1 нФ | ±0,15% | ±66 нс | ||||
| 10 нФ | ±0,08% | ±450 нс | ||||
| 100 нФ | ±0,10% | ±3 мкс | ||||
| 1 кГц | 1 нФ | ±0,82% | ±40 нс | |||
| 10 нФ | ±0,40% | ±120 нс | ||||
| 100 нФ | ±0,10% | ±500 нс | ||||
| 1 мкФ | ±0,15% | ±10 мкс | ||||
Амплитудные характеристики генератора 4225-PMU и 4220-PGU |
||||||
| Параметр | Импеданс | Диапазон 10 В | Диапазон 40 В | |||
| Амплитуда на выходе | 50 Ом - 1 МОм | -10 В...+ 10 В | -40 В...+40 В | |||
| 50 Ом - 50 Ом | -5 В...+ 5 В | -20 В...+ 20 В | ||||
| Точность | ±(0,5% + 10 мВ) |
±(0,2% + 20 мВ) |
||||
| Разрешение | 50 Ом - 1 МОм | < 250 мкВ | < 750 мкВ | |||
| 50 Ом - 50 Ом | < 0,5 мВ | < 1,5 мВ | ||||
| Уровень шума, скз (типичное) | ±(0,3% + 1 мВ) |
±(0,1% + 5 мВ) |
||||
| Выходной импеданс | 50 Ом | 50 Ом | ||||
Временные и частотные характеристики генератора 4225-PMU и 4220-PGU |
||||||
| Параметр |
Диапазон 10 В (только генерация) |
Диапазон 10В измерением |
Диапазон 40 В (только генерация) |
Диапазон 40 В (с измерением) для 4225-PMU |
||
|
Частотный диапазон |
1 Гц...50 МГц |
1 Гц... 8,3 МГц |
1 Гц... 10 МГц |
1 Гц...3,5 МГц | ||
|
Временное разрешение |
10 нс | 10 нс | 10 нс | 10 нс | ||
|
Джиттер, скз (типичное) |
0,01% + 200 пс |
0,01% + 200 пс |
0,01% + 200 пс |
0,01% + 200 пс | ||
| Период | 20 нс...1с | 120 нс...1с | 100 нс...1с | 280 нс...1с | ||
|
Длительность импульса |
10 нс...(период - 10 нс) |
60 нс... (период - 10 нс) |
50 нс... (период - 10 нс) |
140 нс...(период - 10 нс) | ||
|
Программируемое время перехода |
10 нс...33 мс | 20 нс...33 мс |
30 нс... 33 мс |
100 нс...33 мс | ||
Временные и частотные характеристики генератора 4225-PMU и 4220-PGU |
||||||
| Параметр | Диапазон 10 В | Диапазон 40 В | ||||
| Диапазон измерения тока | 10 мА | 200 мА | 100 мкА | 10 мА | 800 мА | |
| Точность |
±(0,25% + 100 мкА) |
±(0,25% + 250 мкА) |
±(0,25% + 1 мкА) |
±(0,5% + 100 мкА) |
±(0,25% + 3 мА) |
|
| Шум | 15 мкА | 50 мкА | 75 нА | 5 мкА | 200 мкА | |
Измерение тока 4225-PMU с предусилителем/коммутатором 4225-RPM |
||||||
| Параметр | Диапазон 10 В | |||||
|
Диапазон измерения тока |
100 нА | 1 мкА | 10 мкА | 100 мкА | 1 мА | 10 мА |
| Точность |
±(0,5% + 1 нА) |
±(0,5% + 1 нА) |
±(0,5% + 30 нА |
±(0,5% + 100 нА) |
±(0,5% + 1 мкА) |
±(0,5% + 10 мкА) |
| Шум | 200 пА | 2 нА | 5 нА | 50 нА | 300 нА | 1,5 мкА |
Импульсные измерения 4225-PMU с 4225-RPM |
||||||
| Импульс/Уровень | 4225-PMU с 4225-RPM | |||||
| Выходное напряжение | -10 В до +10 В | |||||
| Точность | ±(0,5% + 10 мВ) | |||||
| Разрешение | <0, 05 мВ | |||||
| Базовый шум | ±(0,39% ± 1 мВ)скз | |||||
Измерения напряжения 4225-PMU с 4225-RPM |
||||||
| Параметр | 4225-PMU с 4225-RPM | |||||
| Диапазон измерения | 10 В | |||||
| Минимальная длительность импульса | 100 нс | |||||
| Шум | 1 мВскз | |||||
| Время установки | 100 нс | |||||