8 (863) 333-23-46
Пн. — Пт. с 8:00 до 17:00 (Мск)

Модули гибридные оптосимисторные МГТСО7 и МГТСО11

Модули гибридные оптосимисторные МГТСО7 и МГТСО11

Заказать в один клик

Доставка по всей России

доставка продукции осуществляется транспортными компаниями Деловые Линии, ПЭК, КИТ. Курьерскими службами СДЭК, DHL, Pony Express.

Гибридные оптосимисторные модули серий МГТСО7 и МГТСО11(МГТСО7/17-10, МГТСО7/17-16,МГТСО7/17-25,МГТСО7/19-10, МГТСО7/19-16, МГТСО7/19-25,МГТСО11/17-50, МГТСО11/17-63, МГТСО11/17-80,МГТСО11/19-50, МГТСО11/19-63, МГТСО11/19-80) задействуют в коммутационных и управляющих слаботочных цепях. Оптосимисторы обладают пластиковой внешней оболочкой с беспотенциальным основанием. Частота напряжения рабочей электросети - 500 Гц.

 

Главные технические параметры

1. Строение цепей управления и силовых цепей

В силовой контур модулей включены парные встречно-параллельные тиристоры. Они отвечают за коммутационные функции устройства.

Цепь управления оптосимисторов построена на диодах, связанных с внутренней цепью перенаправления коммутационного напряжения посредством оптического излучения:

- с выводом напряжения через ноль (МГТСО7/17, МГТСО11/17);

- без перехода (МГТСО7/19, МГТСО11/19).

 

2. Требования к окружающей среде

1) Вариант погодного исполнения модулей: У2 (ГОСТ 15150-69).

2) Функционирование допускается внутри помещений без взрывоопасных и химически активных испарений, источников мощного ЭМ излучения, нейтронных и гамма-лучей.

3) Модули занесены в группу М27 по условиям ГОСТ 17516.1-90:

- уровни вибрации: 10÷100 Гц;

- предельное ускорение: до 50 м/с2;

- сила и ускорение импульсов: до 50 м*с и 40 м/с2.

 

3. Комплектация охладителями

Обязательна установка наружного теплообменника с площадью поверхности не ниже указанной для стабильной работы модуля. Охлаждающие устройства не поставляются в комплекте по умолчанию. Следует обозначить в заявке на приобретение необходимость включения охладителей в комплект.

 

ООО «НПП Точприбор» является официальным дилером компании "Элемент-Преобразователь (Запорожье)", и предоставляет прямую гарантию на поставляемое оборудование. Мы предлагаем продукцию европейского качества по оптимальным ценам производителя.

Заказать МГТСО7 и МГТСО11, выбрать наиболее подходящий Вам способ оплаты и доставки, Вы можете позвонив по номеру 8 (863) 333-23-46 или оставив заявку по адресу mail@tochpribor.org .

Отправьте запрос или позвоните специалисту по данному оборудованию:

Покупка по договору
Менеджер Анна Кирячко
E-Mail sale9@tochpribor.org

Телефоны +7 (863) 333-23-46 (доб 14)
Телефон +7 (499) 110-95-06 (доб 14)
Телефон +7 (812) 407-10-86 (доб 14)

Покупка по тендеру
Менеджер Юлия Бондарева
E-Mail sale@tochpribor.org

Телефоны +7 (863) 333-23-46 (доб 10)
Телефон +7 (499) 110-95-06 (доб 10)
Телефон +7 (812) 407-10-86 (доб 10)

Код товара 009-358-005

Параметры закрытого состояния
 

Обозначение параметра Наименование, единица
измерения
Тип модуля Условия установления норм на параметры
МГТСО7/17-10, МГТСО7/17-16, МГТСО7/17-25, МГТСО7/19-10, МГТСО7/19-16, МГТСО7/19-25 МГТСО11/17-50,МГТСО11/17-63,МГТСО11/17-80,МГТСО11/19-50,МГТСО 11/19-63,МГТСО11/19-80
UDRM

 
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В,для класса:
4
6
8
10
12




400
600
800
1000
1200
Т=1100С
Импульс напряжения синусоидальный, однополупериодный, одиночный длительностью 10мс в каждом направлении. Цепь управления разомкнута.
UDSM
 
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В,для класса:
4
6
8
10
12
 


450
670
900
1100
1300
UDWM Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии, В 0,8UDRM
UD Постоянное напряжение в закрытом состоянии, В 0,6UDRM Т=700С
IDRM Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии,мА, не более 1 3 Т=250С. Цепь управления разомкнута.
2,5 7 Т=1100С. Цепь управления разомкнута.


Параметры открытого состояния

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование,
единица
измерения
МГТСО7/17-10
МГТСО7/19-10
МГТСО7/17-16
МГТСО7/19-16
МГТСО7/17-25
МГТСО7/19-25
МГТСО11/17-50
МГТСО11/19-50
МГТСО11/17-63
МГТСО11/19-63
МГТСО11/17-80
МГТСО11/19-80
ITRMSM Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии, А 10 16 25 50 63 80 Тс=70°С, импульсы тока синусоидальные частотой 50 Гц, угол
проводимости 360 град. эл.
ITSM Ударный ток в открытом состоянии, кА 0.077 0.132 0.154 0.55 0.66 0.77 Т=25°С
0.07 0.12 0.14 0.5 0.6 0.7 Т=110°С. Импульс тока синусоидальный одиночный длительностью не более 10 мс
UTM Импульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более 1.7 1.75 1.7 1.65 1.5 Т =25°С
UT(TO) Пороговое напряжение в открытом состоянии, В 1 Т=110°С
rT Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм 50 33 21 10 7.3 4.4 Т=110°С
ITRMS Максимально допустимый действующий ток модуля в открытом состоянии при Та=40°с, А охладитель ОР224-80 охладитель ОР234-80 охлаждение:
и 14 17 22 24 26 естественное
15 20 27 39 45 52 принудительное v=6 м/с
охладитель ОР224-60 охладитель ОР234-60  
10 12 15 18 20 21 естественное

Параметры управления
Параметр Значение
параметра
 
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измерения МГТСО7/17-10
МГТСО7/17-16
МГТСО7/17-25
МГТСО7/19-10
МГТСО7/19-16
МГТСО7/19-25
МГТСО11/17-50
МГТСО11/17-63
МГТСО11/17-80
МГТСО11/19-50
МГТСО11/19-63
МГТСО11/19-80
Условия установления норм на параметры
 IGT
 
 
Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более
10 Т=25°С
14 Т=-40°С, частота напряжения в закртытом состоянии 50 Гц.
IGTmax Максимально допустимый постоянный ток управления, мА, не более 30 Т=25°С, t=30 мс
UG Прямое падение напряжения на управляющей цепи, В, не 2.5 Т=25°с, I =10 мА
более 3.5 Т =-40°С
UGD Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не менее 0.9 Т =110°С, напряжение источника управления - постоянное
 IGD Неотпирающий постоянный ток управления, мА, не менее 0.2
UFT Напряжение включения по основной цепи*, В, не более 20 Т=25°С. Импульсный ток управления - 10 мА, частотой 12.5 Г ц, скважностью 2.
UINT Напряжение запрета по основной цепи** (для МГТСО7/17, МГТСО11/17), В, не более 50
 

Параметры переключения
 

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измерения МГТСО7/19-10, МГТСО7/19-16, МГТСО7/19-25, МГТСО11/19-50, МГТСО11/19-63, МГТСО11/19-80
tgt Время включения, мкс, не более 20 U =100 В/ Режим по выводу управляющего электрода: форма - трапецеидальная, IFGM=10 мА, длительность фронта не более 0,5 мкс, t =100 мкс, сопротивление источника управления не более 50 Ом.

Тепловые параметры 
Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование,
единица
измерения
МГТСО7/17-10
МГТСО7/19-10
МГТСО7/17-16
МГТСО7/19-16
МГТСО7/17-25
МГТСО7/19-25
МГТСО11/17-50
МГТСО11/19-50
МГТСО11/17-63
МГТСО11/19-63
МГТСО11/17-80
МГТСО11/19-80
Tjm Максимально допустимая температура перехода, °С 110  
Tjmin Минимально допустимая температура перехода, °С минус 40  
Tstgm Максимально допустимая температура хранения, °С 40  
Tstgm Минимально допустимая температура хранения, °С минус 40  
Rthjc Тепловое сопротивление переход-корпус модуля,
°С/Вт, не более
2 1.3 0.9 0.55 0.45 0.36 Постоянный ток
Rthch Тепловое сопротивление корпус­охладитель, °С/Вт, не более 0.2 0.15  
Rthja Тепловое сопротивление переход-среда, °С/Вт, не более охладитель ОР224-80 охладитель ОР234-80 охлаждение:
4.3 3.6 3.2 2.8 2.7 2.61 естественное
2.87 2.17 1.77 1.37 1.27 1.18 принудительное У=6 м/с
охладитель ОР224-60 охладитель ОР234-60  
5 4.3 3.9 3.5 3.4 3.31 естественное
 


Параметры изоляции

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измерения МГТСО7/17-10
МГТСО7/17-16
МГТСО7/17-25
МГТСО7/19-10
МГТСО7/19-16
МГТСО7/19-25
МГТСО11/17-50
МГТСО11/17-63
МГТСО11/17-80
МГТСО11/19-50
МГТСО11/19-63
МГТСО11/19-80
Uisol Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, В (действующее значение) 2000 (для 4-8 классов) 2500 (для 10-12 классов) Нормальные климатические условия.
Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания 1 мин.
1500 Повышенная влажность (>80%).
Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания 1 мин.
Risol Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, MОм, не менее 50 Нормальные климатические условия. Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.
5 Повышенная влажность (>80%). Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.
UIG Электрическая прочность изоляции между основными выводами и управляющими выводами модуля, В (действующее значение) 2500 Нормальные климатические условия.
1500 Повышенная влажность (>80%).
RIG Сопротивление изоляции между основными выводами и управляющими выводами модуля, МОм, не менее 1000 Нормальные климатические условия. Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.
100 Повышенная влажность (>80%). Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.
 

 

Файлы для Модули гибридные оптосимисторные МГТСО7 и МГТСО11

Рекомендуем посмотреть также

*
представьтесь, пожалуйста, и укажите свою должность
*
требуется для выставления счета и уведомлений по заказу
*
номер телефона, по которому можно с вами связаться

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку своих персональных данных