г. Москва
+7 (499) 110-95-06
г. Ростов-на-Дону
+7 (863) 333-23-46
г. Хабаровск
+7 (421) 298-83-98


МГТСО4 и МГТСО8 - Модули гибридные оптосимисторные

МГТСО4 и МГТСО8 - Модули гибридные оптосимисторные
По запросу
Код товара: 069-598-000
Госреестр:
Госреестр
Доставка по России

Описание

Гибридные оптосимисторные модули серий МГТСО4 и МГТСО8 используются в электротехнических схемах коммутационной и переключающей аппаратуры. Модули имеют пластиковую внешнюю обшивку с беспотенциальным основанием. Частота питания от электросети - 500 Гц.

 

Главные технические параметры

1. Строение силовой и цепи управления

Силовой контур модуля составлен из парных встречно-параллельных тиристоров. Они отвечают за функции коммутации прибора.

Цепь управления оптосимисторов включает диоды, связанные с внутренней цепью управления коммутационным напряжением посредством оптического излучения:

- с переводом напряжения через ноль (МГТСО4/18, МГТСО8/18);

- без перехода (МГТСО4/16, МГТСО8/16).

В моделях МГТСО8/22 реализована схема переключений с оптической раздельной развязкой без перехода напряжения через ноль.

 

2. Требования к окружающей среде

1) Тип климатического исполнения устройств: У2 (ГОСТ 15150-69).

2) Функционирование допускается только в помещениях, где отсутствуют взрывоопасные и химически агрессивные пары и газы, источники сильного ЭМ излучения, нейтронных и гамма-лучей.

3) Оборудованию присвоена группа М27 по условиям ГОСТ 17516.1-90:

- уровни вибрации: 10÷100 Гц;

- предельное ускорение: до 50 м/с2;

- ударные импульсы: до 50 м*с и 40 м/с2.

 

3. Комплектация охладителями при заказе

Завод-изготовитель поставляет наборы оптосимисторных модулей без охлаждающих элементов. В заявке должна быть прописана необходимость комплектации системами охлаждения.

 

"Элемент-Преобразователь (Запорожье)"

Характеристики

Модул и Охладители
по ТУ У 32.1 -30077685-015-2004
Площадь по­верхности охладителя, см2
МГТСО4/16-100, МГТСО4/16-125, МГТСО4/16-160, МГТСО4/18-100, МГТСО4/18-125, МГТСО4/18-160 ОР344-180 4554
ОР344-120 3076
МГТСО8/16-200, МГТСО8/16-250, МГТСО8/16-320, МГТСО8/18-200, МГТСО8/18-250, МГТСО8/18-320, МГТСО8/22-200, МГТСО8/22-250, МГТСО8/22-320 ОР344-240 6032
ОР344-180 4554


Параметры закрытого состояния
 
 

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измерения МГТСО4/16-100
МГТСО4/16-125
МГТСО4/16-160
МГТСО4/18-100
МГТСО4/18-125
МГТСО4/18-160
МГТСО8/16-200
МГТСО8/16-250
МГТСО8/16-320
МГТСО8/22-200
МГТСО8/22-250
МГТСО8/22-320
МГТСО8/18-200
МГТСО8/18-250
МГТСО8/18-320
UDSM Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В, для классов:
4
6
8
10
12
14
16
450
670
900
1100
1300
450
670
900
1100
1300
1500
1700
Т ]m=110°C.
Импульс напряжения синусоидальный однополупериодный одиночный длительностью не более 10 мс в каждом направлении. Цепь управления разомкнута
UDRM Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В, для классов:
4
6
8
10
12
14
16
400
600
800
1000
1200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
Т ]m=110°C.
Напряжение синусоидальное, частотой 50 Гц.
UDWM Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии, В 0,8Udrm
UD Постоянное напряжение в закрытом состоянии, В 0,6UDRM Тс=70°С
(dUD/d‘)com Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, не менее для группы:
1
2
3
4
5
  1.  7 8*
2.5
  1.  6.3
  1.  16.0
25.0
  1.  100.0*
Тс=85°С, It=ITrMSM, tl=10 мсUd=0,67Udrm, tu min=250 мкс.
Импульсы источника управления: форма - произвольная, Ug=2.5 В (при подключенном модуле), tG=1 мс, сопротивление цепи управления не более 50 Ом.
^DRM Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, мА, не более 2 Цепь управления разомкнута
12 20 Цепь управления разомкнута
*только для МГТСО8/22

 
 

Параметры открытого состояния

 
 

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование,
единица
измерения
МГТСО4/16-100
МГТСО4/18-100
МГТСО4/16-125
МГТСО4/18-125
МГТСО4/16-160
МГТСО4/18-160
МГТСО8/16-200
МГТСО8/18-200
МГТСО8/22-200
МГТСО8/16-250
МГТСО8/18-250
МГТСО8/22-250
МГТСО8/16-320
МГТСО8/18-320
МГТСО8/22-320
^TRMSM Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии, А 100 125 160 200 250 320 Т =70°C,
с
импульсы тока синусоидальные частотой 50 Гц, угол
проводимости 360 град. эл.
^TSM Ударный ток в открытом состоянии, кА 1.1 1.4 1.8 2.2 2.8 3.5 Тр25°С
1 1.25 1.6 2 2.5 3.2 импульс тока синусоидальный одиночный длительностью не более 10 мс,
UR=0IG=IGT при
Т.
jmin
UTM Импульсное напряжение в открытом состоянии, B, не более 1.7 1.65 1.55 1.7 1.65 Xj=25°C, - IT=1.41Itrmsm
UT(TO) Пороговое напряжение в открытом состоянии, B, не более 1 ^m=110°C
rT Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм, не более 5 3.7 2.4 2.5 2 1.4 Т =110°C jm
^TRMS Максимально допустимый действующий ток модуля в открытом состоянии при T =40°C, А
а
охладитель ОР344-180 охладитель ОР344-240 охлаждение:
52 59 64 79 83 91 естественное
74 88 98 121 131 150 принудительное v=6 м/с
охладитель ОР344-120 охладитель ОР344-180  
49 55 59 71 75 81 естественное
72 86 95 115 124 142 принудительное v=6 м/с

 
 

Параметры управления

 
 

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измерения МГТСО4/16-100
МГТСО4/16-125
МГТСО4/16-160
МГТСО4/18-100
МГТСО4/18-125
МГТСО4/18-160
МГТСО8/16-200
МГТСО8/16-250
МГТСО8/16-320
МГТСО8/18-200
МГТСО8/18-250
МГТСО8/18-320
МГТСО8/22-200
МГТСО8/22-250
МГТСО8/22-320
^GT Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более 10 Tj=25°C
14 Т]тт=-40°С, UD=100 В, частота напряжения в закрытом состоянии 50 Гц, IT=0.6 A, tG>1 мс
^GTmax Максимально допустимый постоянный ток управления, мА, не более 30 Т=25°C, t = 30 мс j G
UG Прямое падение напряжения на управляющей цепи, В, не более 2.5 5 Т=25°C, I =10 мА
jG
3.5 8 Tjmin=-40°C
UGD Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не менее 0.9 1.8 Tjm=110°C UD=0,67UDRM
Напряжение источника управления - постоянное
^GD Неотпирающий постоянный ток управления, мА, не менее 0.2
UFT Напряжение включения по основной цепи*, В, не более 20 Tj=25°C. Импульсный ток управления - 10 мА, частотой 12.5 Гц, скважностью 2.
UINT Напряжение запрета по основной цепи** (для МГТСО4/18, МГТСО8/18), В, не более 50 -
 

 
 

Параметры переключения

 
 

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измерения МГТСО4/16-100, МГТСО4/16-125, МГТСО4/16-160, МГТСО8/16-200, МГТСО8/16-250, МГТСО8/16-320, МГТСО8/22-200, МГТСО8/22-250, МГТСО8/22-320
V Время включения, мкс, не более 20 Ud= 100 B, It=Itrmsm. Режим по выводу управляющего электрода: форма - трапецеидальная, Ifgm=10 мA, длительность фронта не более 0,5 мкс, tG=100 мкс, сопротивление источника управления не более 50 Ом.
 

 
 
 

Тепловые параметры

 
 

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование,
единица
измерения
МГТСО4/16-100
МГТСО4/18-100
МГТСО4/16-125
МГТСО4/18-125
МГТСО4/16-160
МГТСО4/18-160
МГТСО8/16-200
МГТСО8/18-200
МГТСО8/22-200
МГТСО8/16-250
МГТСО8/18-250
МГТСО8/22-250
МГТСО8/16-320
МГТСО8/18-320
МГТСО8/22-320
T.
jm
Максимально допустимая температура перехода, °С 110  
T. .
jmin
Минимально допустимая температура перехода, °С минус 40  
T
stgm
Максимально допустимая температура хранения, °С 40  
T
stgm
Минимально допустимая температура хранения, °С минус 40  
Rthjc Тепловое
сопротивление
переход-корпус
модуля,
°С/Вт, не более
0.25 0.2 0.19 0.13 0.12 0.1 Постоянный ток
Тепловое
сопротивление
переход-корпус
(одного
тиристорного
элемента), °С/Вт,
не более
0.5 0.4 0.38 0.26 0.24 0.2
Rthch Тепловое сопротивление корпус- охладитель, °С/Вт, не более 0.1  
Rthja Тепловое сопротивление переход-среда, °С/Вт, не более охладитель ОР344-180 охладитель ОР344-240 охлаждение:
1.15 1.05 1.03 0.81 0.79 0.75 естественное
0.75 0.65 0.63 0.48 0.46 0.42 принудительное v=6 м/с
охладитель ОР344-120 охладитель ОР344-180  
1.26 1.16 1.14 0.91 0.89 0.85 естественное
0.77 0.67 0.65 0.51 0.49 0.45 принудительное v=6 м/с

 
 
 

Параметры изоляции

 
 

Параметр Класс
модуля
Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измерения МГТСО4/16-100
МГТСО4/16-125
МГТСО4/16-160
МГТСО4/18-100
МГТСО4/18-125
МГТСО4/18-160
МГТСО8/16-200
МГТСО8/16-250
МГТСО8/16-320
МГТСО8/22-200
МГТСО8/22-250
МГТСО8/22-320
МГТСО8/18-200
МГТСО8/18-250
МГТСО8/18-320
U.S01 Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, В (действующее значение) 4-8 2000 Нормальные климатические условия.
Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания 1 мин.
10-12 2500 2500
14-16 -
4-12 1500 1500 Повышенная влажность (>80%).
Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания 1 мин.
14-16 -
Risol Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, МОм, не менее 4-12 50 50 Нормальные климатические условия. Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.
14-16 -
4-12 5 5 Повышенная влажность (>80%). Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.
14-16 -
UIG Электрическая прочность изоляции между основными выводами и управляющими выводами модуля, В (действующее значение) 4-12 2500 2500 Нормальные климатические условия.
14-16 -
4-12 1500 1500 Повышенная влажность (>80%).
14-16 -
Rig Сопротивление изоляции между основными выводами и управляющими выводами модуля, МОм, не менее 4-12 1000 1000 Нормальные климатические условия. Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.
14-16 -
4-12 100 100 Повышенная влажность (>80%). Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с.
14-16 -

Комплектация

Комплектация охладителями при заказе

Завод-изготовитель поставляет наборы оптосимисторных модулей без охлаждающих элементов. В заявке должна быть прописана необходимость комплектации системами охлаждения.

Отзывы

Отзывы о МГТСО4 и МГТСО8 - Модули гибридные оптосимисторные

Ваша оценка
Вы недавно смотрели
Наверх
ООО НПП Точприбор
г. Москва 23-й км Киевское шоссе (п Московский), д. 7 к. 2, помещение 226 ком. 1 +7 (499) 110-95-06 mail@tochpribor.org