МГТСО4 и МГТСО8 - Модули гибридные оптосимисторные
Госреестр
Описание
Гибридные оптосимисторные модули серий МГТСО4 и МГТСО8 используются в электротехнических схемах коммутационной и переключающей аппаратуры. Модули имеют пластиковую внешнюю обшивку с беспотенциальным основанием. Частота питания от электросети - 500 Гц.
Главные технические параметры
1. Строение силовой и цепи управления
Силовой контур модуля составлен из парных встречно-параллельных тиристоров. Они отвечают за функции коммутации прибора.
Цепь управления оптосимисторов включает диоды, связанные с внутренней цепью управления коммутационным напряжением посредством оптического излучения:
- с переводом напряжения через ноль (МГТСО4/18, МГТСО8/18);
- без перехода (МГТСО4/16, МГТСО8/16).
В моделях МГТСО8/22 реализована схема переключений с оптической раздельной развязкой без перехода напряжения через ноль.
2. Требования к окружающей среде
1) Тип климатического исполнения устройств: У2 (ГОСТ 15150-69).
2) Функционирование допускается только в помещениях, где отсутствуют взрывоопасные и химически агрессивные пары и газы, источники сильного ЭМ излучения, нейтронных и гамма-лучей.
3) Оборудованию присвоена группа М27 по условиям ГОСТ 17516.1-90:
- уровни вибрации: 10÷100 Гц;
- предельное ускорение: до 50 м/с2;
- ударные импульсы: до 50 м*с и 40 м/с2.
3. Комплектация охладителями при заказе
Завод-изготовитель поставляет наборы оптосимисторных модулей без охлаждающих элементов. В заявке должна быть прописана необходимость комплектации системами охлаждения.
"Элемент-Преобразователь (Запорожье)"
Характеристики
Модул и | Охладители по ТУ У 32.1 -30077685-015-2004 |
Площадь поверхности охладителя, см2 |
МГТСО4/16-100, МГТСО4/16-125, МГТСО4/16-160, МГТСО4/18-100, МГТСО4/18-125, МГТСО4/18-160 | ОР344-180 | 4554 |
ОР344-120 | 3076 | |
МГТСО8/16-200, МГТСО8/16-250, МГТСО8/16-320, МГТСО8/18-200, МГТСО8/18-250, МГТСО8/18-320, МГТСО8/22-200, МГТСО8/22-250, МГТСО8/22-320 | ОР344-240 | 6032 |
ОР344-180 | 4554 |
Параметры закрытого состояния
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | |||
Буквенное обозначение |
Наименование, единица измерения | МГТСО4/16-100 МГТСО4/16-125 МГТСО4/16-160 МГТСО4/18-100 МГТСО4/18-125 МГТСО4/18-160 |
МГТСО8/16-200 МГТСО8/16-250 МГТСО8/16-320 МГТСО8/22-200 МГТСО8/22-250 МГТСО8/22-320 |
МГТСО8/18-200 МГТСО8/18-250 МГТСО8/18-320 |
|
UDSM | Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В, для классов: 4 6 8 10 12 14 16 |
450 670 900 1100 1300 |
450 670 900 1100 1300 1500 1700 |
Т ]m=110°C. Импульс напряжения синусоидальный однополупериодный одиночный длительностью не более 10 мс в каждом направлении. Цепь управления разомкнута |
|
UDRM | Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В, для классов: 4 6 8 10 12 14 16 |
400 600 800 1000 1200 |
400 600 800 1000 1200 1400 1600 |
Т ]m=110°C. Напряжение синусоидальное, частотой 50 Гц. |
|
UDWM | Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии, В | 0,8Udrm | |||
UD | Постоянное напряжение в закрытом состоянии, В | 0,6UDRM | Тс=70°С | ||
(dUD/d‘)com | Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, не менее для группы: 1 2 3 4 5
|
2.5
|
Тс=85°С, It=ITrMSM, tl=10 мс, Ud=0,67Udrm, tu min=250 мкс. Импульсы источника управления: форма - произвольная, Ug=2.5 В (при подключенном модуле), tG=1 мс, сопротивление цепи управления не более 50 Ом. |
||
^DRM | Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, мА, не более | 2 | Цепь управления разомкнута | ||
12 | 20 | Цепь управления разомкнута | |||
*только для МГТСО8/22 |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | ||||||
Буквенное обозначение |
Наименование, единица измерения |
МГТСО4/16-100 МГТСО4/18-100 |
МГТСО4/16-125 МГТСО4/18-125 |
МГТСО4/16-160 МГТСО4/18-160 |
МГТСО8/16-200 МГТСО8/18-200 МГТСО8/22-200 |
МГТСО8/16-250 МГТСО8/18-250 МГТСО8/22-250 |
МГТСО8/16-320 МГТСО8/18-320 МГТСО8/22-320 |
|
^TRMSM | Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии, А | 100 | 125 | 160 | 200 | 250 | 320 | Т =70°C, с импульсы тока синусоидальные частотой 50 Гц, угол проводимости 360 град. эл. |
^TSM | Ударный ток в открытом состоянии, кА | 1.1 | 1.4 | 1.8 | 2.2 | 2.8 | 3.5 | Тр25°С |
1 | 1.25 | 1.6 | 2 | 2.5 | 3.2 | импульс тока синусоидальный одиночный длительностью не более 10 мс, UR=0, IG=IGT при Т. jmin |
||
UTM | Импульсное напряжение в открытом состоянии, B, не более | 1.7 | 1.65 | 1.55 | 1.7 | 1.65 | Xj=25°C, - IT=1.41Itrmsm | |
UT(TO) | Пороговое напряжение в открытом состоянии, B, не более | 1 | ^m=110°C | |||||
rT | Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм, не более | 5 | 3.7 | 2.4 | 2.5 | 2 | 1.4 | Т =110°C jm |
^TRMS | Максимально допустимый действующий ток модуля в открытом состоянии при T =40°C, А а |
охладитель ОР344-180 | охладитель ОР344-240 | охлаждение: | ||||
52 | 59 | 64 | 79 | 83 | 91 | естественное | ||
74 | 88 | 98 | 121 | 131 | 150 | принудительное v=6 м/с | ||
охладитель ОР344-120 | охладитель ОР344-180 | |||||||
49 | 55 | 59 | 71 | 75 | 81 | естественное | ||
72 | 86 | 95 | 115 | 124 | 142 | принудительное v=6 м/с |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | ||
Буквенное обозначение |
Наименование, единица измерения | МГТСО4/16-100 МГТСО4/16-125 МГТСО4/16-160 МГТСО4/18-100 МГТСО4/18-125 МГТСО4/18-160 МГТСО8/16-200 МГТСО8/16-250 МГТСО8/16-320 МГТСО8/18-200 МГТСО8/18-250 МГТСО8/18-320 |
МГТСО8/22-200 МГТСО8/22-250 МГТСО8/22-320 |
|
^GT | Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более | 10 | Tj=25°C | |
14 | Т]тт=-40°С, UD=100 В, частота напряжения в закрытом состоянии 50 Гц, IT=0.6 A, tG>1 мс | |||
^GTmax | Максимально допустимый постоянный ток управления, мА, не более | 30 | Т=25°C, t = 30 мс j G | |
UG | Прямое падение напряжения на управляющей цепи, В, не более | 2.5 | 5 | Т=25°C, I =10 мА jG |
3.5 | 8 | Tjmin=-40°C | ||
UGD | Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не менее | 0.9 | 1.8 | Tjm=110°C UD=0,67UDRM Напряжение источника управления - постоянное |
^GD | Неотпирающий постоянный ток управления, мА, не менее | 0.2 | ||
UFT | Напряжение включения по основной цепи*, В, не более | 20 | Tj=25°C. Импульсный ток управления - 10 мА, частотой 12.5 Гц, скважностью 2. | |
UINT | Напряжение запрета по основной цепи** (для МГТСО4/18, МГТСО8/18), В, не более | 50 | - |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | |
Буквенное обозначение |
Наименование, единица измерения | МГТСО4/16-100, МГТСО4/16-125, МГТСО4/16-160, МГТСО8/16-200, МГТСО8/16-250, МГТСО8/16-320, МГТСО8/22-200, МГТСО8/22-250, МГТСО8/22-320 | |
V | Время включения, мкс, не более | 20 | Ud= 100 B, It=Itrmsm. Режим по выводу управляющего электрода: форма - трапецеидальная, Ifgm=10 мA, длительность фронта не более 0,5 мкс, tG=100 мкс, сопротивление источника управления не более 50 Ом. |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | ||||||
Буквенное обозначение |
Наименование, единица измерения |
МГТСО4/16-100 МГТСО4/18-100 |
МГТСО4/16-125 МГТСО4/18-125 |
МГТСО4/16-160 МГТСО4/18-160 |
МГТСО8/16-200 МГТСО8/18-200 МГТСО8/22-200 |
МГТСО8/16-250 МГТСО8/18-250 МГТСО8/22-250 |
МГТСО8/16-320 МГТСО8/18-320 МГТСО8/22-320 |
|
T. jm |
Максимально допустимая температура перехода, °С | 110 | ||||||
T. . jmin |
Минимально допустимая температура перехода, °С | минус 40 | ||||||
T stgm |
Максимально допустимая температура хранения, °С | 40 | ||||||
T stgm |
Минимально допустимая температура хранения, °С | минус 40 | ||||||
Rthjc | Тепловое сопротивление переход-корпус модуля, °С/Вт, не более |
0.25 | 0.2 | 0.19 | 0.13 | 0.12 | 0.1 | Постоянный ток |
Тепловое сопротивление переход-корпус (одного тиристорного элемента), °С/Вт, не более |
0.5 | 0.4 | 0.38 | 0.26 | 0.24 | 0.2 | ||
Rthch | Тепловое сопротивление корпус- охладитель, °С/Вт, не более | 0.1 | ||||||
Rthja | Тепловое сопротивление переход-среда, °С/Вт, не более | охладитель ОР344-180 | охладитель ОР344-240 | охлаждение: | ||||
1.15 | 1.05 | 1.03 | 0.81 | 0.79 | 0.75 | естественное | ||
0.75 | 0.65 | 0.63 | 0.48 | 0.46 | 0.42 | принудительное v=6 м/с | ||
охладитель ОР344-120 | охладитель ОР344-180 | |||||||
1.26 | 1.16 | 1.14 | 0.91 | 0.89 | 0.85 | естественное | ||
0.77 | 0.67 | 0.65 | 0.51 | 0.49 | 0.45 | принудительное v=6 м/с |
Параметр | Класс модуля |
Значение параметра | Условия установления норм на параметры | ||
Буквенное обозначение |
Наименование, единица измерения | МГТСО4/16-100 МГТСО4/16-125 МГТСО4/16-160 МГТСО4/18-100 МГТСО4/18-125 МГТСО4/18-160 МГТСО8/16-200 МГТСО8/16-250 МГТСО8/16-320 МГТСО8/22-200 МГТСО8/22-250 МГТСО8/22-320 |
МГТСО8/18-200 МГТСО8/18-250 МГТСО8/18-320 |
||
U.S01 | Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, В (действующее значение) | 4-8 | 2000 | Нормальные климатические условия. Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания 1 мин. |
|
10-12 | 2500 | 2500 | |||
14-16 | - | ||||
4-12 | 1500 | 1500 | Повышенная влажность (>80%). Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания 1 мин. |
||
14-16 | - | ||||
Risol | Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, МОм, не менее | 4-12 | 50 | 50 | Нормальные климатические условия. Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с. |
14-16 | - | ||||
4-12 | 5 | 5 | Повышенная влажность (>80%). Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с. | ||
14-16 | - | ||||
UIG | Электрическая прочность изоляции между основными выводами и управляющими выводами модуля, В (действующее значение) | 4-12 | 2500 | 2500 | Нормальные климатические условия. |
14-16 | - | ||||
4-12 | 1500 | 1500 | Повышенная влажность (>80%). | ||
14-16 | - | ||||
Rig | Сопротивление изоляции между основными выводами и управляющими выводами модуля, МОм, не менее | 4-12 | 1000 | 1000 | Нормальные климатические условия. Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с. |
14-16 | - | ||||
4-12 | 100 | 100 | Повышенная влажность (>80%). Напряжение 1000 В, время испытания не менее 10 с. | ||
14-16 | - |
Комплектация
Комплектация охладителями при заказе
Завод-изготовитель поставляет наборы оптосимисторных модулей без охлаждающих элементов. В заявке должна быть прописана необходимость комплектации системами охлаждения.