Т163-2000, T263-2000, T563-2000 - Тиристоры
Госреестр
Описание
Тиристоры Т163-2000, T263-2000, T563-2000 предназначаются, чтобы работать в цепях силового и другого типа с током постоянного или переменного типа, для токов 200-5000 А, уровня напряжения 200-4400 В, в таблеточном исполнении, при уровне частоты в 500 Гц, для применения в преобразователях электроэнергетического типа.
По исполнению климатического типа и категории размещения тиристоры, согласно ГОСТу 15150-69, могут быть УХЛ2 или ТЗ (отличаются по типу климата и месту размещения).
Изделия предназначаются, чтобы эксплуатироваться в средах взрывоопасного и химически неактивного типа. При этом важно, чтобы отсутствовали различные излучения – нейтронное, электронное и прочее. Атмосфера может относиться к категории условно-чистого или промышленного типа (I или II), при этом коррозионно-активные агенты не превышают определенных показателей. Возможно воздействие вибрационной нагрузки на изделие, если частота находится в диапазоне 0,5-50 Гц, а одиночные удары имеют импульс 50 мс и ускорение 40 м/с2. Условия эксплуатации относятся к группе М27.
Модели изделия имеют следующие идентичные технические показатели: воздушное расстояние между анодом с катодом управляющего типа (10 мм), длину пути тока для утечки между анодом с катодом управляющего типа (21 мм), массу (950 г) и усилие сжатия (42500±2500 Н). При этом общая длина изделия моделей Т163-2000, T263-2000 равна 26,0 ± 2 мм, а модели T563-2000 – 26,0+3мм. Ребра по своему количеству не регламентированы. Все данные указаны в паспорте изделия.
.
Характеристики
Технические характеристики Т263-2000:
Rthjc - Тепловое сопротивление переход-корпус, С/Вт | 0,013 |
UDRM / URRM , (В) | 1400-2000 |
ITAV(Tc) , (A(°C)) | 2000(85) |
ITSM , (kA) | 45,0 |
Прочие характеристики | |
Rthjc - Тепловое сопротивление переход-корпус, С/Вт | 0,013 |
UDRM / URRM , (В) | 1400-2000 |
ITAV(Tc) , (A(°C)) | 2000(85) |
ITSM , (kA) | 45,0 |
UTM(ITM) , (В(A)) | 1,75(6280) |
(duD/dt)crit , (В/мкс) | 500;1000;1600 |
tq , (мкс) | 320;250;200;160 |
(diT/dt)crit , (A/мкс) | 800;200 |
Rthjc , (°C/Вт) | 0,013 |